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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 6000 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 500 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 8 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT25G102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR |
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| GT25G102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT25H101 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247VAR |
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| GT25H-12DP-2.2H | HRS |
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Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting. |
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| GT25H-12DP-2.2V | HRS |
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Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting. |
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| GT25H-12DP-2.2V(60) | HRS |
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连接器类型:插座;线束品:无;PIN数:12;额定电流:3.0 A;(AC)额定电压:AC |
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| GT25H-2024SCF | HRS |
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Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting. |
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| GT25H-2024SCF(02) | HRS |
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连接器类型:端子;线束品:无;额定电流:3.0 A;(AC)额定电压:AC 250.0 V |
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| GT25H-20DP-2.2H | HRS |
获取价格 |
Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting. |
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| GT25H2-12DP-2.2H | HRS |
获取价格 |
连接器类型:插座;线束品:无;RoHS2:匹配;SVHC:30th 不含; |
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