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GT25G101_06

更新时间： 2024-09-15 04:19:55
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东芝 - TOSHIBA 闪光灯双极性晶体管
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4页 316K
描述
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

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GT25G101_06 数据手册

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GT25G101  
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N−CHANNEL IGBT  
GT25G101  
Unit in mm  
STROBE FLASH APPLICATIONS  
z High Input Impedance  
z Low Saturation Voltage : V  
z Enhancement−Mode  
z 20V Gate Drive  
=8V (Max.) (I =170A)  
CE (sat)  
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
Collector−Emitter Voltage  
Gate−Emitter Voltage  
V
V
400  
±25  
V
V
CES  
GES  
DC  
I
25  
C
Collector Current  
A
1ms  
I
170  
CP  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
P
1.3  
C
C
Collector Power  
Dissipation  
W
JEDEC  
―
P
75  
JEITA  
―
Junction Temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
2−10S1C  
TOSHIBA  
Weight : 1.5g  
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
=±25V, V =0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
I
V
V
―
―
4
―
―
±100  
10  
7
nA  
μA  
V
GES  
GE  
CE  
CE  
Collector Cut−off Current  
Gate−Emitter Cut−off Voltage  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
Input Capacitance  
I
=400V, V =0  
GE  
CES  
V
I =1mA, V =5V  
CE  
5
GE (OFF)  
C
V
I =170A, V =20V (Pulsed)  
GE  
―
―
―
―
―
―
―
5
8
V
CE (sat)  
C
C
V
=10V, V =0, f=1MHz  
CE GE  
2000  
0.1  
0.15  
4.0  
4.5  
―
―
pF  
ies  
Rise Time  
t
0.5  
0.5  
6.0  
7.0  
r
Turn−on Time  
Switching Time  
t
t
on  
μs  
Fall Time  
t
f
Turn−off Time  
off  
Thermal Resistance  
R
th (j−c)  
―
1.66 °C / W  
1
2006-11-02  
1234

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与GT25G101_06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT25G101SM TOSHIBA

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 		N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
GT25G101SM_06 TOSHIBA

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 		SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
GT25G102 TOSHIBA

获取价格

 		N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)
GT25G102(SM) ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR
GT25G102SM TOSHIBA

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GT25H-12DP-2.2H HRS

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 		Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting.
GT25H-12DP-2.2V(60) HRS

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 		连接器类型:插座;线束品:无;PIN数:12;额定电流:3.0 A;(AC)额定电压:AC
GT25H-2024SCF HRS

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 		Metal holddowns to solder by reflow are used instead of screws for PCB mounting.

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