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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 6000 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 500 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| GT15G101 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| GT25G101 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| CT30VM-8 | MITSUBISHI |
功能相似 |
STROBE FLASHER USE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT20G101(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263VAR |
|
| GT20G101SM | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| GT20G102 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| GT20G102(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263VAR |
|
| GT20G102SM | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| GT20J101 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
|
| GT20J101_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
|
| GT20J121 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs, GT20J121 |
|
| GT20J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| GT20J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
|
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