GS1DE-T

更新时间： 2024-11-02 13:00:03

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美微科 - MCC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	231K
描述
Rectifier Diode,

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GS1DE-T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

GS1DE-T 数据手册

GS1A

THRU

GS1M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

1 Amp

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Low Thermal Resistance

•

High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

•

Maximum Ratings

DO-214AC

(HSMA) (High Profile)

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 15°C/W Junction To Lead

Cathode Band

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

GS1A

GS1B

GS1D

GS1G

GS1J

GS1K

GS1M

GS1A

GS1B

GS1D

GS1G

GS1J

GS1K

GS1M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.078

.067

.002

---

MIN

DIM

MAX

.116

.089

.008

.02

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

1.98

1.70

.05

Average Forward

current

I_F(AV)

1.0A

T_a= 75°C

---

.51

.035

.065

.205

.160

.100

.055

.096

.224

.180

.112

.89

1.40

2.45

5.69

4.57

2.84

1.65

5.21

4.06

2.57

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine,

Maximum

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C*

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.1V

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

10µA

50µA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

0.085”

Typical Junction

C_J

15pF

Measured at

Capacitance

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

0.070”

Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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与GS1DE-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS1DE-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, SMAE, 2 PI
GS1DE-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
GS1DE-TPS05	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, S
GS1DE-TPS05-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SAME, 2 PIN
GS1DF	SUNMATE	获取价格	1A patch rectifier diode 200V SMAF series
GS1DGP	MCC	获取价格	DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN, Signal Diode
GS1DG-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, HSMA, 2 PIN
GS1DHE3-L	MCC	获取价格	Tape: 7.5K/Reel, 120K/Ctn;
GS1DL	SUNMATE	获取价格	1A patch rectifier diode 200V SOD-123 series
GS1D-L	MCC	获取价格	1.0 Amp Glass Passivated Rectifier 50 to 1000 Volts

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