GN1010R

更新时间： 2024-10-29 13:07:59

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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2页	42K
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINII4-G2, 4 PIN

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GN1010R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (ID)：	0.045 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

GN1010R 数据手册

GaAs MMICs

GN1010

GaAs N-Channel MES IC

Unit : mm

2.8–⁺0⁰.^.3²

1.5–⁺0⁰.^.3²

For high-output high-gain amplification

0.65±0.15

■ Features

0.5R

●

General-use wide-band amplifier

Low noise

With bandwidth control pin

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

0.4±0.2

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Rating

Unit

1 : Source

2 : Drain

3 : C

Power supply voltage

– 4

4 : Gate

Mini Type Package (4-pin)

Drain current

˚C

Gate current

I_G

200

■ Equivalent Circuit

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

T_ch

150

T_stg

– 55 to +150

˚C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Drain current

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

* 1

I_DD

V_DS= 3V

V_DS= 3V, f= 0.5GHz

V_DS= 3V, f=1.8GHz

V_DS= 3V, f= 0.5GHz

V_DS= 3V, f=1.8GHz

V_DS= 3V, f= 0.5GHz

V_DS= 3V, f=1.8GHz

Noise figure

Power gain

NF ^{* 2}

PG ^{* 2}

* 2

_dBcompression output

P_O

dBm

* 1

rank classification

^{* 2}NF, PG, P_Otest circuit

C = 1000 pF

Cc = 200 pF

Rank

I_DD(mA)

5 to 20

15 to 30

25 to 45

C = 27 pF

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GN1017	PANASONIC	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,
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GN1025	ETC	获取价格	RF Amplifier
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GN1043P	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
GN1043Q	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
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