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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SL,4LEAD,.145CIRC |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 构造： | COMPONENT |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 端子数量： | 4 |
| 最大工作频率： | 800 MHz | 最小工作频率： | 50 MHz |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SL,4LEAD,.145CIRC |
| 电源： | 3 V | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND LOW POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 60 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | GAAS |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN1043 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| GN1043P | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| GN1043Q | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| GN1044 | PANASONIC |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, |
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| GN1051 | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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| GN12015C | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12015C | RENESAS |
获取价格 |
15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-3P, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12030E | RENESAS |
获取价格 |
30A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| GN12030E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GN12050E | RENESAS |
获取价格 |
50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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