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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN12015C | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12015C | RENESAS |
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15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-3P, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12030E | RENESAS |
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30A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| GN12030E | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GN12050E | RENESAS |
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50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| GN12050E | HITACHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GN13 | EIC |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
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| GN13 | SYNSEMI |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
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| GN13 | GOOD-ARK |
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SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
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| GN-1-3800.12OHM0.5%E12 | VISHAY |
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Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 0.12ohm, 0.5% +/-Tol, -90,90ppm/Cel, |
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