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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 6 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN1043P | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| GN1043Q | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| GN1044 | PANASONIC |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, |
|
| GN1051 | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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| GN12015C | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12015C | RENESAS |
获取价格 |
15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-3P, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12030E | RENESAS |
获取价格 |
30A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| GN12030E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GN12050E | RENESAS |
获取价格 |
50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| GN12050E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
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