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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 6 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN1044 | PANASONIC |
获取价格 |
Narrow Band Low Power Amplifier, |
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| GN1051 | ETC |
获取价格 |
Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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| GN12015C | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12015C | RENESAS |
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15A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-3P, TO-3P, 3 PIN |
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| GN12030E | RENESAS |
获取价格 |
30A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| GN12030E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GN12050E | RENESAS |
获取价格 |
50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| GN12050E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| GN13 | EIC |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
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| GN13 | SYNSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
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