是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOJ, SOJ20/26,.34 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.77 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 60 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J20 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ20/26,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GM71C4100CLJ-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, SOJ-26 | |
GM71C4100CLJ-80 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, | |
GM71C4100CLR-60 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
GM71C4100CLR-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, | |
GM71C4100CLR-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM | |
GM71C4100CLT-60 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, | |
GM71C4100CLT-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, | |
GM71C4100CLT-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM | |
GM71C4100CLZ-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM | |
GM71C4100CLZ-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |