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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ20/26,.34 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ20/26,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GM71C4100CLJ-80 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, |
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| GM71C4100CLR-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| GM71C4100CLR-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, |
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| GM71C4100CLR-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| GM71C4100CLT-60 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, |
|
| GM71C4100CLT-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, |
|
| GM71C4100CLT-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| GM71C4100CLZ-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| GM71C4100CLZ-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| GM71C4100CLZ-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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