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GM71C4100CZ-80

更新时间: 2024-02-08 09:19:51
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 1405K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

GM71C4100CZ-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:ZIP, ZIP20,.1Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.91最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PZIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP20,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

GM71C4100CZ-80 数据手册

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