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GM71C4170AJ-80

更新时间: 2024-01-28 19:10:05
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 1452K
描述
x16 Fast Page Mode DRAM

GM71C4170AJ-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ40,.44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J40
JESD-609代码:e0长度:26.03 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ40,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.76 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm

GM71C4170AJ-80 数据手册

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