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GM71C4100CZ-70

更新时间: 2024-01-02 09:19:55
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 1405K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

GM71C4100CZ-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:ZIP, ZIP20,.1Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PZIP-T20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1端子数量:20
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP20,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

GM71C4100CZ-70 数据手册

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