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GF4412/5B

更新时间： 2024-11-23 21:13:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	153K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-8

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GF4412/5B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

GF4412/5B 数据手册

GF4412

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

30V R

28 Ω I 7A

DS(ON)

SO-8

0.197 (5.00)

0.189 (4.80)

0.157 (3.99)

0.150 (3.81)

0.05 (1.27)

0.04 (1.02)

0.244 (6.20)

0.228 (5.79)

0.165 (4.19)

0.155 (3.94)

0.245 (6.22)

Min.

Dimensions in inches

and (millimeters)

0.019 (0.48)

x 45°

0.020 (0.51)

0.013 (0.33)

0.035 (0.889)

0.025 (0.635)

0.050 typ.

(1.27)

0.010 (0.25)

0.009 (0.23)

0.007 (0.18)

0.050 (1.27)

0.069 (1.75)

0.053 (1.35)

Mounting Pad Layout

0.050(1.27)

0.016 (0.41)

0°– 8°

0.009 (0.23)

0.004 (0.10)

Mechanical Data

Features

Case: SO-8 molded plastic body

• Advanced Trench Process Technology

Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

• High Density Cell Design for Ultra Low

On-Resistance

High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds at terminals

• Specially Designed for Low Voltage DC/DC

Converters

Mounting Position: Any

Weight: 0.5g

• Fast Switching for High Efficiency

Packaging Codes – Options:

5B – 2.5K per 13” reel, 15K per carton

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current

T_J= 150°C⁽¹⁾

T_A= 25°C

T_A= 70°C

I_D

5.8

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

Continuous Source Current (Diode Conduction)⁽¹⁾

2.3

T_A= 25°C

Maximum Power Dissipation⁽¹⁾

T_A= 70°C

2.5

1.6

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Junction-to-Ambient⁽¹⁾Thermal Resistance

T_J, T_stg

R_θJA

–55 to 150

°C

°C/W

2/15/01

Notes: (1) Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec.

12 3 4 5

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GF463030	ALTECH	获取价格	Equipment Leakage Circuit Breaker,
GF4800	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| SO
GF4800/5B	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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