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GBU808

更新时间： 2024-09-16 02:55:19

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固锝 - GOOD-ARK		/
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2页	755K
描述
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers

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GBU808 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.15	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

GBU808 数据手册

GBU8005 thru GBU810

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers

Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 8.0 Amperes

Features

Surge overload rating - 200 Amperes peak

Ideal for printed circuit boards

Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique

Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-0

Mounting Position: Any

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Parameter

Symbols

GBU8005 GBU801 GBU802 GBU804 GBU806 GBU808 GBU810

Units

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward

(with heatsink Note 2)

8.0

3.2

I_F(AV)

Amps

rectified output current @T_C=100^oC (without heatsink)

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

I_FSM

V_F

I_R

200.0

1.0

Amps

Volt

Max. instantaneous forward voltage drop at 4.0A DC

Maximum DC reverse current

@T_J=25^oC

5.0

500.0

at rated DC blocking voltage per element @T_J=125^oC

Rating for fusing (t<8.3ms)

I²t

C_J

166

A²sec

Typical junction capacitance per element (Note 1)

Typical thermal resistance (Note 2)

Operating temperature range

R_θJC

T_J

2.2

^oC/W

^oC

-55 to +150

Storage temperature range

T_STG

^oC

Notes:

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC

2. Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu plate heatsink

630

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GBU808(LS)	DIODES	获取价格	8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
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GBU808C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU808G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 8.0AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
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