Datasheet > GBU810AB1

GBU810AB1

更新时间： 2024-01-20 18:26:09

品牌	Logo	应用领域
扬杰 - YANGJIE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	397K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GBU810AB1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU810AB1 数据手册

RoHS

GBU8005A THRU GBU810A

Bridge Rectifier

COMPLIANT

Features

● UL recognition, file #E230084

● Ideal for printed circuit boards

● High surge current capability

● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106

Typical Applications

General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for

monitor, TV, printer, power supply, switching mode power supply,

adapter, audio equipment, and home appliances applications.

Mechanical Data

●

ackage: GBU

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating, RoHS-compliant

● Terminals: Tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

●

As marked on body

Polarity:

(T =25℃ Unless otherwise specified

■

Maximum Ratings

）

GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A

PARAMETER

SYMBOL UNIT

GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A

Device marking code

Repetitive peak reverse voltage

100

200

400

600

800

1000

RRM

With heatsink

Tc =108℃

8.0

3.2

Average rectified output current

@60Hz sine wave, R-load

Without heatsink

Ta =25℃

Surge(non-repetitive)forward current

@60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃

FSM

I²t

200

Current squared time

@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode

A²S

166

Storage temperature

Junction temperature

-55 ~+150

stg

℃

-55 ~+150

Dielectric strength

@ terminals to case, AC 1 minute

dis

2.5

Mounting torque

@recommend torque：5kg·cm

Tor

kg·cm

（T =25℃ Unless otherwise specified）

■Electrical Characteristics

TEST

CONDITIONS

GBU8005A GBU801A GBU802A GBU804A GBU806A GBU808A GBU810A

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Maximum instantaneous forward

voltage drop per diode

1.00

=4.0A

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per diode

RRM

μA

RM RRM

1 / 4

S-B169

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Rev. 2.2, 28-Nov-18

12 3 4

下载PDF

与GBU810AB1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBU810C	HY	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU810-G	COMCHIP	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
GBU8-10-LFR	FRONTIER	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU812	FCI	8.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge	获取价格
GBU816	JJM	整流桥	获取价格
GBU816	YANGJIE	GBU	获取价格