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GBU810

更新时间： 2024-11-21 04:19:31

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2页	40K
描述
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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GBU810 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	Base Number Matches：	1

GBU810 数据手册

GBU8005 thru GBU810 SERIES

GLASS PASSIVATED

BRIDGE RECTIFIERS

REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000Volts

FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes

GBU

.139(3.53)

.133(3.37)

FEATURES

●Surge overload rating -200 amperes peak

.874(22.2)

.860(21.8)

3.2*3.2

CHAMFER

●Ideal for printed circuit board

●Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

.154(3.9)

.146(3.7)

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.224(5.7)

●Plastic material has U/L

flammability classification 94V-0

.073(1.85)

.057(1.45)

●Mounting postition:Any

.100(2.54)

.085(2.16)

.720(18.29)

.680(17.27)

.106(2.7)

.091(2.3)

.080(2.03)

.065(1.65)

.047(1.2)

.035(0.9)

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.3) (5.3) (5.3)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

SYMBOL GBU8005 GBU801 GBU802 GBU804 GBU806 GBU808 GBU810

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

8.0

3.2

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC=100℃ (without heatsink)

Peak Forward Surage Current

IFSM

200

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.1

Maximum Forward Voltage at 4.0A DC

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

@ TJ=125℃

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

166

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

2.2

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm cu plate heatsink.

~ 311 ~

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GBU810 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GBU8B	ONSEMI	类似代替	8 A 桥式整流器
GBU8A	ONSEMI	类似代替	8 A 桥式整流器
GBU8M-E3/51	VISHAY	类似代替	Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU

与GBU810相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU8-10	FRONTIER	获取价格	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU810(LS)	DIODES	获取价格	8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU810A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon,
GBU810AB1	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon,
GBU810C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU810-G	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU8-10-LFR	FRONTIER	获取价格	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU812	FCI	获取价格	8.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge
GBU816	JJM	获取价格	整流桥
GBU816	YANGJIE	获取价格	GBU

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