是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PSFM-T4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 0.74 |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 最小击穿电压: | 1000 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PBU802 | DIODES |
完全替代 |
8.0A BRIDGE RECTIFIER | |
GBU801 | DIODES |
类似代替 |
8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | |
GBU8005 | DIODES |
类似代替 |
8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GBU8-10 | FRONTIER |
获取价格 |
8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS | |
GBU810(LS) | DIODES |
获取价格 |
8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER | |
GBU810A | YANGJIE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon, | |
GBU810AB1 | YANGJIE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon, | |
GBU810C | HY |
获取价格 |
SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
GBU810-G | COMCHIP |
获取价格 |
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers | |
GBU8-10-LFR | FRONTIER |
获取价格 |
8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS | |
GBU812 | FCI |
获取价格 |
8.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge | |
GBU816 | JJM |
获取价格 |
整流桥 | |
GBU816 | YANGJIE |
获取价格 |
GBU |