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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GAN30105EU | AMPHENOL |
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RF/Microwave Antenna, |
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| GAN3R2-100CBE | NEXPERIA |
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100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Pac |
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| GAN65R240ZT2 | BL Galaxy Electrical |
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650V, N Channel, GaN HEMT |
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| GAN7R0-150LBE | NEXPERIA |
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150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (L |
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| GANB4R8-040CBA | NEXPERIA |
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40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level C |
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| GAO-3201 | GOLLEDGE |
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1.8~5.0V 32.768kHz Oscillator |
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| GAO-3201_18 | GOLLEDGE |
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1.8~5.0V 32.768kHz Oscillator |
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| GAO-3301 | GOLLEDGE |
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1.8~3.3V 32.768kHz Oscillator with 3225 Package |
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| GAO-3301_18 | GOLLEDGE |
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1.8~3.3V 32.768kHz Oscillator with 3225 Package |
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| GAP01EP | ETC |
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Converter |
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