是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QLCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | REGISTER PRELOAD; POWER-UP RESET | 最大时钟频率: | 20 MHz |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.5062 mm | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
专用输入次数: | 10 | I/O 线路数量: | 10 |
端子数量: | 28 | 最高工作温度: | 75 °C |
最低工作温度: | 组织: | 10 DEDICATED INPUTS, 10 I/O | |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
可编程逻辑类型: | EE PLD | 传播延迟: | 30 ns |
认证状态: | COMMERCIAL | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大供电电压: | 5.25 V | 最小供电电压: | 4.75 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.5062 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GAL20RA10B-30LP | LATTICE |
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High-Speed Asynchronous E2CMOS PLD Generic Ar | |
GAL20RA10B-7LJ | LATTICE |
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High-Speed Asynchronous E2CMOS PLD Generic Ar | |
GAL20RA10B-7LJ | ROCHESTER |
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EE PLD, 7.5 ns, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | |
GAL20V8 | LATTICE |
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High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic | |
GAL20V8_06 | LATTICE |
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High Performance E2CMOS PLD Generic Array Log | |
GAL20V8-10LNC | ETC |
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Electrically-Erasable PLD | |
GAL20V8-10LVC | ETC |
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Electrically-Erasable PLD | |
GAL20V8-20LJC | TI |
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EE PLD, 20ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | |
GAL20V8-20LJI | TI |
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EE PLD, 20ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | |
GAL20V8-20LJM | ETC |
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Electrically-Erasable PLD |