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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX6KMJ06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-186 |
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| FX6KMJ-06 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6KMJ-06 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6KMJ-06 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6KMJ-06-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6KMJ2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-186 |
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| FX6KMJ-2 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6KMJ-2 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX6KMJ-2 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX6KMJ-2-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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