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FX6KMJ-06

更新时间： 2024-11-30 07:00:51

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瑞萨 - RENESAS		开关
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7页	204K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX6KMJ-06 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.37 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FX6KMJ-06 数据手册

FX6KMJ-06

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G0261-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: – 60 V

_{DS(ON) (max)}: 0.21 Ω

I_D: – 6 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns

Outline

TO-220FN

1. Gate

2. Drain

3. Source

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

–60

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–6

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

–24

I_DA

–6

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

I_SM

–24

P_D

°C

Tch

Tstg

Viso

– 55 to +150

2000

AC 1 minute,

Terminal to case

Mass

—

2.0

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX6KMJ-06-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6KMJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186
FX6KMJ-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX6KMJ-2	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX6KMJ-2	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6KMJ-2-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6KMJ3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186
FX6KMJ-3	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX6KMJ-3	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX6KMJ-3	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S