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FSS145

更新时间： 2024-11-23 03:37:59
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三洋 - SANYO 开关通用开关
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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FSS145 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：45 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.9 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FSS145 数据手册

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Ordering number : ENA0341  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
P-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
FSS145  
Features  
•
Load switching applications.  
•
Low ON-resistance.  
•
4V drive.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
--45  
±20  
-- 8  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
I
A
D
D
Drain Current (PW≤10s)  
Drain Current (PW≤10µs)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Duty cycle≤1%  
Duty cycle≤1%  
--8.5  
--32  
2.9  
A
I
A
DP  
P
Mounted on a ceramic board (1200mm2✕0.8mm), PW≤10s  
W
°C  
°C  
D
Tch  
150  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
--45  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=--1mA, V =0V  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D GS  
I
I
V
V
V
V
=--45V, V =0V  
GS  
--1  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
=±16V, V =0V  
DS  
±10  
GSS  
V (off)  
GS  
=--10V, I =--1mA  
--1.2  
10  
--2.6  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=--10V, I =--8A  
17  
S
D
R
(on)1  
(on)2  
I
I
=--8A, V =--10V  
GS  
18  
28  
24  
40  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
DS  
D
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
=--4A, V =--4V  
GS  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Ciss  
V
V
V
=--20V, f=1MHz  
=--20V, f=1MHz  
=--20V, f=1MHz  
3490  
370  
290  
35  
DS  
DS  
DS  
Coss  
Crss  
t (on)  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
d
t
r
65  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
270  
125  
d
t
f
Marking : S145  
Continued on next page.  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
80906 / 22006PA MS IM TB-00002039 No. A0341-1/4  
1234

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