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FSS202

更新时间： 2024-11-22 23:52:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO

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FSS202 数据手册

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Ordering number:EN5885A  
N-Channel Silicon MOSFET  
FSS202  
DC-DC Converter Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low ON resistance.  
· 4V drive.  
2116  
[FSS202]  
8
5
1:Source  
2:Source  
3:Source  
4:Gate  
1
4
0.2  
5.0  
5:Drain  
6:Drain  
7:Drain  
8:Drain  
1.27  
0.595  
0.43  
Specifications  
SANYO:SOP8  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
30  
±20  
7
V
V
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
GSS  
I
A
D
Drain Current (pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
Mounted on a ceramic board (1200mm2×0.8mm)  
52  
A
DP  
P
D
Tch  
1.8  
150  
W
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
30  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
D GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
I
=30V, V =0  
100  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±16V, V =0  
DS  
=10V, I =1mA  
D
=10V, I =7A  
D
±10  
2.4  
GSS  
V
1.0  
8
GS(off)  
| yfs |  
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
12  
S
R
1
=7A, V =10V  
GS  
25  
37  
32  
50  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
DS(on)  
D
R
2
I
=4A, V =4V  
D GS  
DS(on)  
Ciss  
Input Capacitance  
V
V
V
=10V, f=1MHz  
700  
380  
180  
DS  
Output Capacitance  
Coss  
Crss  
=10V, f=1MHz  
DS  
=10V, f=1MHz  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
70199TS (KOTO) TA-2128 No.5885-1/4  
1234

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