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FSS173 PDF预览

FSS173

更新时间： 2024-11-23 03:37:59
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲光电二极管通用开关
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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FSS173 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：45 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FSS173 数据手册

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Ordering number : ENA0480  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
P-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
FSS173  
Features  
• Low ON-resistance.  
•
4V drive.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
--45  
±20  
-- 6  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
I
A
D
D
Drain Current (PW≤10s)  
Drain Current (PW≤10µs)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Duty cycle≤1%  
Duty cycle≤1%  
--7  
A
I
--24  
2.4  
150  
A
DP  
P
Mounted on a ceramic board (1200mm2✕0.8mm), PW≤10s  
W
°C  
°C  
D
Tch  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
--45  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=--1mA, V =0V  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D GS  
I
V
V
V
V
=--45V, V =0V  
GS  
--1  
±10  
--2.6  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
= ±16V, V =0V  
DS  
GSS  
V (off)  
GS  
=--10V, I =--1mA  
--1.2  
7.2  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=--10V, I =--6A  
12  
26  
S
D
R
DS  
(on)1  
I
D
I
D
=--6A, V =--10V  
GS  
35  
56  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
(on)2  
=--3A, V =--4V  
GS  
40  
2580  
265  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Marking : S173  
Ciss  
V
V
V
=--20V, f=1MHz  
=--20V, f=1MHz  
=--20V, f=1MHz  
DS  
DS  
DS  
Coss  
Crss  
210  
Continued on next page.  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
No. A0480-1/4  
73106PA MS TB-00002429  
1234

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