5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220FN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50KMJ-03F-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS50KMJ06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
|
| FS50KMJ-06 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50KMJ-06 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
| FS50KMJ-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS50KMJ-06F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS50KMJ-06F | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS50KMJ-06F-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS50KMJ-2 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS50KMJ-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
