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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS30VSH-06-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS30VSH-06-T2 | MITSUBISHI |
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暂无描述 |
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| FS30VSH2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| FS30VSH-2 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSH-2-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSH-2-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| FS30VSH-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSH-3 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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