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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220S |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.091 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS30VSJ-2-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FS30VSJ3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| FS30VSJ-3 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS30VSJ-3 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS30VSJ-3 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS30VSJ-3-A1 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS30VSJ-3-T11 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS30VSJ-3-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS30VSJ-3-T21 | RENESAS |
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30A, 150V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220S, 3 PIN |
|
| FS310 | FEELING |
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SINGLE PHASE DC MOTOR DRIVE IC |
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