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FS30VSJ-3

更新时间： 2024-11-26 22:15:23

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	42K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS30VSJ-3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS30VSJ-3 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS30VSJ-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS30VSJ-3

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5MAX.

4.5

1.3

+0.3

–0

0.5

0.8

w e

w r

q GATE

¡4V DRIVE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................150V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 86mΩ

¡ID ......................................................................................... 30A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ...........100ns

TO-220S

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

150

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

120

Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

120

°C

Tch

–55 ~ +150

1.2

Tstg

—

Storage temperature

°C

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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