FQPF8N90C

更新时间： 2024-01-02 14:59:12

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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900V N-Channel MOSFET

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FQPF8N90C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.69
雪崩能效等级（Eas）：	850 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A	最大漏极电流 (ID)：	6.3 A
最大漏源导通电阻：	1.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQPF8N90C 数据手册

Typical Characteristics (Continued)

1 0⁰

D =0 .5

0 .2

※

N otes

1. Z_θ_JC(t)

2. D uty Factor, D =t₁/t₂

1 0^-1

℃

/W M ax.

0.73

0 .1

3. T_JM

T_C

P_{D M}

Z_θ_JC(t)

0 .0 5

P_DM

0 .0 2

t₁

0 .0 1

t₂

sin g le p u lse

1 0^-2

1 0^-5

1 0^-4

1 0^-3

1 0^-2

1 0^-1

1 0⁰

1 0¹

t₁, S q u are W a ve P u lse D u ratio n [se c]

Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP8N90C

1 0⁰

D = 0 .5

0 .2

※

N o tes

1 . Z _θ_JC(t)

2 . D uty F a cto r, D = t₁/t₂

3 . T _JMT _CP _{D M}Z _θ_JC(t)

℃

/W M a x.

2 .0 8

0 .1

0 .0 5

1 0^-1

P_DM

0 .0 2

0 .0 1

t₁

t₂

s in g le p u ls e

1 0^-2

1 0^-5

1 0^-4

1 0^-3

1 0^-2

1 0^-1

1 0⁰

1 0¹

t₁, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF8N90C

Rev. A, November 2003

1 2 3 456 7 8...10

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