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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 6.44 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMB200D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSO |
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| FMB200D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSO |
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| FMB200L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSO |
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| FMB20N50E | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FMB20N50ES | FUJI |
获取价格 |
T-pack |
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| FMB-2204 | SANKEN |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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| FMB-2204 | ALLEGRO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN |
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| FMB-2206 | SANKEN |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes |
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| FMB-2206R | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN |
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| FMB-2206S | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN |
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