FMB200

更新时间： 2024-01-24 18:48:06

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

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FMB200 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.44
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

FMB200 数据手册

PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

(continued)

Typical Characteristics (continued)

Base-Emitter Saturation

Base Emitter ON Voltage vs

Voltage vs Collector Current

Collector Current

1.2

= 10

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

- 40 ºC

25 °C

- 40 ºC

0.6

25 °C

125 ºC

0.4

= 5V

0.2

0.1

100

300

0.1

100 200

I_C- COLLECTOR CURRENT (mA)

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

Collector-Cutoff Current

vs. Ambient Temperature

Collector-Emitter Breakdown

Voltage with Resistance

Between Emitter-Base

100

= 50V

0.1

0.01

100

125

0.1

100

1000

T_A- AMBIENT TEMPERATURE (ºC)

RESISTANCE (kΩ)

Input and Output Capacitance

vs Reverse Voltage

Collector Saturation Region

100

Ta = 25°C

f = 1.0 MHz

Ic =

100 uA

300 mA

50 mA

Cib

Cob

100

300

700

2000 4000

0.1

100

- BASE CURRENT (uA)

- COLLECTOR VOLTAGE(V)

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