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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FMB200L99Z | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSO |
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| FMB20N50E | FUJI | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FMB20N50ES | FUJI | T-pack |
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| FMB-2204 | SANKEN | Schottky Barrier Diodes |
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| FMB-2204 | ALLEGRO | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN |
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| FMB-2206 | SANKEN | Schottky Barrier Diodes |
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