FM24CL04B-G

更新时间： 2024-09-25 10:34:35

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铁电 - RAMTRON		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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12页	281K
描述
4Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM24CL04B-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大待机电流：	0.000006 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.0003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.65 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

FM24CL04B-G 数据手册

Preliminary

FM24CL04B

4Kb Serial 3V F-RAM Memory

Features

4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM

Low Power Operation

•

2.7V to 3.65V operation

•

Organized as 512 x 8 bits

•

100 µA Active Current (100 kHz)

3 µA (typ.) Standby Current

High Endurance 10¹⁴Read/Writes

38 Year Data Retention

NoDelay™ Writes

Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Industry Standard Configuration

•

Industrial Temperature -40° C to +85° C

8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)

Fast Two-wire Serial Interface

•

Up to 1 MHz maximum bus frequency

Direct hardware replacement for EEPROM

Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz

Description

Pin Configuration

The FM24CL04B is a 4-kilobit nonvolatile memory

employing an advanced ferroelectric process. A

ferroelectric random access memory or FRAM is

nonvolatile and performs reads and writes like a

RAM. It provides reliable data retention for 38 years

while eliminating the complexities, overhead, and

system level reliability problems caused by EEPROM

and other nonvolatile memories.

VSS

VDD

SCL

SDA

The FM24CL04B performs write operations at bus

speed. No write delays are incurred. Data is written to

the memory array in the cycle after it has been

successfully transferred to the device. The next bus

cycle may commence immediately without the need

for data polling. The FM24CL04B is capable of

supporting 10¹⁴read/write cycles, or a million times

more write cycles than EEPROM.

Pin Names

A1-A2

SDA

Function

Device Select Address 1 and 2

Serial Data/Address

Serial Clock

SCL

Write Protect

These capabilities make the FM24CL04B ideal for

nonvolatile memory applications requiring frequent

or rapid writes. Examples range from data collection

where the number of write cycles may be critical, to

demanding industrial controls where the long write

time of EEPROM can cause data loss. The

combination of features allows more frequent data

writing with less overhead for the system.

VSS

Ground

VDD

Supply Voltage

Ordering Information

FM24CL04B-G

“Green”/RoHS 8-pin SOIC

FM24CL04B-GTR “Green”/RoHS 8-pin SOIC,

Tape & Reel

The FM24CL04B provides substantial benefits to

users of serial EEPROM, yet these benefits are

available in a hardware drop-in replacement. The

FM24CL04B is available in an industry standard 8-

pin SOIC package and uses a familiar two-wire

protocol. The specifications are guaranteed over an

industrial temperature range of -40°C to +85°C.

This is a product that has fixed target specifications but are subject

to change pending characterization results.

Ramtron International Corporation

1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921

(800) 545-FRAM, (719) 481-7000

www.ramtron.com

Rev. 1.3

Feb. 2011

Page 1 of 12

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FM24CL04B-GTR	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
FM24CL04-G	RAMTRON	获取价格	4Kb FRAM Serial Memory
FM24CL04-GTR	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM24CL04-S	RAMTRON	获取价格	4Kb FRAM Serial Memory
FM24CL04-STR	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
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