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FM24CL04B-GTR

更新时间： 2024-11-12 12:06:23

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
13页	325K
描述
4Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM24CL04B-GTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	0.84	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	348737
Samacsys Pin Count：	8	Samacsys Part Category：	Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：	Small Outline Packages	Samacsys Footprint Name：	8-PIN SOIC (150 mils) 51-85066
Samacsys Released Date：	2018-07-22 11:51:36	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大待机电流：	0.000006 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.0003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.65 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

FM24CL04B-GTR 数据手册

FM24CL04B

4Kb Serial 3V F-RAM Memory

Features

Low Power Operation

4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM

Organized as 512 x 8 bits

2.7V to 3.65V operation

100 A Active Current (100 kHz)

3 A (typ.) Standby Current

High Endurance 10¹⁴Read/Writes

38 Year Data Retention

NoDelay™ Writes

Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Industry Standard Configuration

Industrial Temperature -40 C to +85 C

8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)

Fast Two-wire Serial Interface

Up to 1 MHz maximum bus frequency

Direct hardware replacement for EEPROM

Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz

Description

Pin Configuration

The FM24CL04B is a 4-kilobit nonvolatile memory

employing an advanced ferroelectric process. A

ferroelectric random access memory or FRAM is

nonvolatile and performs reads and writes like a

RAM. It provides reliable data retention for 38 years

while eliminating the complexities, overhead, and

system level reliability problems caused by EEPROM

and other nonvolatile memories.

VDD

SCL

SDA

VSS

The FM24CL04B performs write operations at bus

speed. No write delays are incurred. Data is written to

the memory array in the cycle after it has been

successfully transferred to the device. The next bus

cycle may commence immediately without the need

for data polling. The FM24CL04B is capable of

supporting 10¹⁴read/write cycles, or a million times

more write cycles than EEPROM.

Pin Names

A1-A2

SDA

Function

Device Select Address 1 and 2

Serial Data/Address

Serial Clock

SCL

VSS

VDD

Write Protect

Ground

Supply Voltage

These capabilities make the FM24CL04B ideal for

nonvolatile memory applications requiring frequent

or rapid writes. Examples range from data collection

where the number of write cycles may be critical, to

demanding industrial controls where the long write

time of EEPROM can cause data loss. The

combination of features allows more frequent data

writing with less overhead for the system.

Ordering Information

FM24CL04B-G

FM24CL04B-GTR “Green”/RoHS 8-pin SOIC,

Tape & Reel

“Green”/RoHS 8-pin SOIC

The FM24CL04B provides substantial benefits to

users of serial EEPROM, yet these benefits are

available in a hardware drop-in replacement. The

FM24CL04B is available in an industry standard 8-

pin SOIC package and uses a familiar two-wire

protocol. The specifications are guaranteed over an

industrial temperature range of -40°C to +85°C.

This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s

internal qualification testing and has reached production status.

Cypress Semiconductor Corporation

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Document Number: 001-84455 Rev. *A

Revised March 07, 2013

12 3 4 5 6 7...13

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FM24CL04B-GTR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FM24CL04B-G	CYPRESS	类似代替	4Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM24C04B-G	CYPRESS	类似代替	4Kb Serial 5V F-RAM Memory

与FM24CL04B-GTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FM24CL04-G	RAMTRON	获取价格	4Kb FRAM Serial Memory
FM24CL04-GTR	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM24CL04-S	RAMTRON	获取价格	4Kb FRAM Serial Memory
FM24CL04-STR	RAMTRON	获取价格	Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
FM24CL16	RAMTRON	获取价格	16Kb FRAM Se rial 3V Memory
FM24CL16_05	RAMTRON	获取价格	16Kb FRAM Se rial 3V Memory
FM24CL16B	RAMTRON	获取价格	16Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM24CL16B_13	CYPRESS	获取价格	16Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM24CL16B-DG	CYPRESS	获取价格	16Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM24CL16B-DG	RAMTRON	获取价格	16Kb Serial 3V F-RAM Memory

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