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FM24C04B-G PDF预览

FM24C04B-G

更新时间： 2024-09-25 12:06:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储
页数 文件大小 规格书
13页 324K
描述
4Kb Serial 5V F-RAM Memory

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FM24C04B-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：1Samacsys Description：Serial-2 Wire FRAM Memory 4kbit, 512 x 8 bit, 4.5 -> 5.5 V, -40 -> 85 C, 8-pin, SOIC
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
混合内存类型：N/A湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.0004 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm

FM24C04B-G 数据手册

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FM24C04B  
4Kb Serial 5V F-RAM Memory  
Features  
Low Power Operation  
5V operation  
4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 512 x 8 bits  
100 A Active Current (100 kHz)  
4 A (typ.) Standby Current  
High Endurance 1012 Read/Writes  
38 Year Data Retention  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Industry Standard Configuration  
Industrial Temperature -40 C to +85 C  
8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)  
Fast Two-wire Serial Interface  
Up to 1 MHz maximum bus frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz  
Description  
Pin Configuration  
The FM24C04B is a 4-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for 38 years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by EEPROM  
and other nonvolatile memories.  
1
2
3
4
8
7
6
5
NC  
A1  
VDD  
WP  
A2  
SCL  
SDA  
VSS  
The FM24C04B performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. Data is written to  
the memory array in the cycle after it has been  
successfully transferred to the device. The next bus  
cycle may commence immediately without the need  
for data polling. The FM24C04B is capable of  
supporting 1012 read/write cycles, or a million times  
more write cycles than EEPROM.  
Pin Names  
A1-A2  
SDA  
Function  
Device Select Address 1 and 2  
Serial Data/Address  
Serial Clock  
SCL  
WP  
VSS  
VDD  
Write Protect  
Ground  
Supply Voltage  
These capabilities make the FM24C04B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss. The  
combination of features allows more frequent data  
writing with less overhead for the system.  
Ordering Information  
FM24C04B-G  
FM24C04B-GTR  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC,  
Tape & Reel  
The FM24C04B provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM, yet these benefits are available in  
a hardware drop-in replacement. The FM24C04B is  
available in an industry standard 8-pin SOIC package  
and uses  
a
familiar two-wire protocol. The  
specifications are guaranteed over the industrial  
temperature range from -40°C to +85°C.  
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s  
internal qualification testing and has reached production status.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Document Number: 001-84446 Rev. *A  
Revised March 07, 2013  
1234567...13

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FM24C04B-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM24C04B-GTR CYPRESS

完全替代

 4Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM24CL04B-G CYPRESS

类似代替

 4Kb Serial 3V F-RAM Memory

与FM24C04B-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM24C04B-GTR RAMTRON

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 		4Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM24C04B-GTR CYPRESS

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 		4Kb Serial 5V F-RAM Memory
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 		NVRAM (Ferroelectric Based)
FM24C04C-G RAMTRON

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 		4Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM24C04C-GTR RAMTRON

获取价格

 		4Kb Serial 5V F-RAM Memory
FM24C04D FM

获取价格

 		EEPROM
FM24C04-P ETC

获取价格

 		IC 4K SERIAL FRAM
FM24C04PS RAMTRON

获取价格

 		Non-Volatile SRAM, 512X8, 3500ns, CMOS, PDIP8

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