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FM24C256-G PDF预览

FM24C256-G

更新时间： 2024-09-10 04:18:39
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
256Kb FRAM Serial Memory

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FM24C256-G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.57
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：5.28 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.0012 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：5.23 mm
Base Number Matches：1

FM24C256-G 数据手册

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FM24C256  
256Kb FRAM Serial Memory  
Features  
Low Power Operation  
256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
•
•
•
5V Operation  
200 µA Active Current (100 kHz)  
100 µA Standby Current  
•
•
•
•
•
Organized as 32,768 x 8 bits  
High Endurance 10 Billion (1010) Read/Writes  
45 year Data Retention  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Industry Standard Configuration  
•
•
•
Industrial Temperature -40° C to +85° C  
8-pin EIAJ SOIC  
“Green” Packaging Option  
Fast Two-wire Serial Interface  
•
•
Up to 1 MHz Maximum Bus Frequency  
Supports Legacy Timing for 100 kHz & 400 kHz  
Description  
Pin Configuration  
The FM24C256 is a 256-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for 45 years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by  
EEPROM and other nonvolatile memories.  
1
8
7
6
5
A0  
VDD  
WP  
2
A1  
3
A2  
SCL  
SDA  
4
VSS  
The FM24C256 performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. The next bus  
cycle may commence immediately without the need  
for data polling. In addition, the product offers write  
endurance orders of magnitude higher than  
EEPROM. Also, FRAM exhibits much lower power  
during writes than EEPROM since write operations  
do not require an internally elevated power supply  
voltage for write circuits.  
Pin Names  
A0-A2  
SDA  
SCL  
WP  
Function  
Device Select Address  
Serial Data/Address  
Serial Clock  
Write Protect  
Ground  
VSS  
VDD  
Supply Voltage 5V  
These capabilities make the FM24C256 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss. The  
combination of features allows more frequent data  
writing with less overhead for the system.  
Ordering Information  
FM24C256-SE  
8-pin EIAJ SOIC  
FM24C256-G  
“Green” 8-pin EIAJ SOIC  
NOTE: Top side part marking is “FM24C256-S”  
whereas “FM24C256-SE” is used only for ordering.  
The FM24C256 is available in a 8-pin EIAJ SOIC  
package using an industry standard two-wire  
protocol. Specifications are guaranteed over an  
industrial temperature range of -40°C to +85°C.  
This product conforms specifications per the terms of the Ramtron  
standard warranty. The product has completed Ramtron’s internal  
qualification testing and has reached production status.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000  
www.ramtron.com  
Rev 3.1  
May 2005  
Page 1of 12  
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FM24C256-G 替代型号

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