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FLL171ME

更新时间： 2024-01-02 00:00:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	218K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

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FLL171ME 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	7.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL171ME 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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FLL177ME	FUJITSU	L-BAND MEDIUM & HIGH POWER GAAS FET	获取价格
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FLL200IB-2	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格
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