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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | TO-126, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KSE13003H2ASTU | FAIRCHILD |
类似代替  |
NPN Silicon Transistor |
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| FJE3303H2 | FAIRCHILD |
类似代替 |
High Voltage Switch Mode Applications |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FJE3303H1TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FJE3303H1TU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| FJE3303H2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Applications |
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| FJE3303H2TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE3303H2TU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| FJE3303O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE3303R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE5304D | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| FJE5304D | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 型三重扩散平面硅晶体管 |
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| FJE5304D_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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