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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FJE3303H1 | FAIRCHILD |
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High Voltage Switch Mode Applications |
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| FJE3303H1TU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| FJE3303H1TU | ONSEMI |
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NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| FJE3303H2 | FAIRCHILD |
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High Voltage Switch Mode Applications |
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| FJE3303H2TU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE3303H2TU | ONSEMI |
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NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| FJE3303O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE3303R | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| FJE5304D | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| FJE5304D | ONSEMI |
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NPN 型三重扩散平面硅晶体管 |
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