5秒后页面跳转
FF200R12KE4HOSA1 PDF预览

FF200R12KE4HOSA1

更新时间: 2024-02-01 20:09:45
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 427K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

FF200R12KE4HOSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:7
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:2.09外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):240 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X5
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):800 ns
标称接通时间 (ton):325 nsBase Number Matches:1

FF200R12KE4HOSA1 数据手册

 浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FF200R12KE4HOSA1的Datasheet PDF文件第8页 
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF200R12KE4  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
110  
1
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0,1  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,0081 0,04455 0,0432 0,03915  
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1  
1
2
3
4
0,001  
0,001  
0
3
6
9
12  
15  
18  
21  
24  
27  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2.7ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
450  
400  
IC, Modul  
Tvj = 25°C  
IC, Chip  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
360  
400  
320  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
40  
0
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀWR  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04  
revision:ꢀ3.0  
5

与FF200R12KE4HOSA1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FF200R12KE4P INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor,

获取价格

FF200R12KF ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048

获取价格

FF200R12KF2 ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6

获取价格

FF200R12KL ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048

获取价格

FF200R12KS4 INFINEON 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching

获取价格

FF200R12KS4HOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

获取价格