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FF200R12KE4HOSA1

更新时间： 2024-02-11 01:36:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	427K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF200R12KE4HOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.09	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	800 ns
标称接通时间 (ton)：	325 ns	Base Number Matches：	1

FF200R12KE4HOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF200R12KE4

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

200

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

400

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

7800

7400

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 200 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,65 2,15

1,65

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 200 A, - di_F/dt = 4000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

230

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

ꢀ

250

260

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 200 A, - di_F/dt = 4000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

20,0

32,0

45,0

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 200 A, - di_F/dt = 4000 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

9,00

16,0

17,5

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,05

ꢀ

0,20 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ3.0

123 4 5 6 7 8

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与FF200R12KE4HOSA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FF200R12KE4P	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
FF200R12KF	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048	获取价格
FF200R12KF2	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HD5.6	获取价格
FF200R12KL	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048	获取价格
FF200R12KS4	INFINEON	62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching	获取价格
FF200R12KS4HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7	获取价格

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