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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.09 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 240 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 800 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 325 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SKM150GB12T4G | SEMIKRON |
功能相似  |
IGBT4 Modules |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF200R12KE4P | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| FF200R12KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
|
| FF200R12KF2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6 |
|
| FF200R12KL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
|
| FF200R12KS4 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
|
| FF200R12KS4HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 275A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
| FF200R12KS4P | INFINEON |
获取价格 |
Fast short tail IGBT chip |
|
| FF200R12KT3 | INFINEON |
获取价格 |
半桥 62 mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TREN |
|
| FF200R12KT3_E | INFINEON |
获取价格 |
Phase leg |
|
| FF200R12KT4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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