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FF200R06KE3HOSA1

更新时间： 2024-01-14 01:26:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	428K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 260A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF200R06KE3HOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	2.18
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	260 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	190 ns	Base Number Matches：	1

FF200R06KE3HOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF200R06KE3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-Serienꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

200

260

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

400

680

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,20 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

2,10

1,0

13,0

0,38

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,49

0,52

0,53

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 200 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

E_on

E_off

2,90

3,30

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 200 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

7,90

8,30

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

1400

1000

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,03

ꢀ

0,22 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.0

12 3 4 5 6 7 8

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与FF200R06KE3HOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF200R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HW048
FF200R06KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF200R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.4
FF200R06KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HW048
FF200R06KL2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)
FF200R06ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUALâ¢2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT
FF200R10KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL093HW048
FF200R12KE3	EUPEC	获取价格	IGBT-Module
FF200R12KE3	INFINEON	获取价格	62 mm 1200 V, 200 A 双 IGBT 模块, 采用第三代沟槽/场终止IGB
FF200R12KE4	INFINEON	获取价格	62 mm 1200 V, 200 A dual IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT4 and emitter controlled diode.

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