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FDR8321LD84Z

更新时间： 2024-09-16 21:14:03

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	222K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

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FDR8321LD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (ID)：	2.9 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDR8321LD84Z 数据手册

August 2000

FDR8321L

P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application

General Description

Features

V_DROP= 0.2V @ V_IN= 5V, I_L= 2.9A. R_DS(ON)= 0.070 W

_DROP= 0.2V @ V_IN= 2.5V, I_L= 2A. R_DS(ON)= 0.105 W.

This device is designed for configuration as a load

switch and is particularly suited for Power

Management in portable battery powered electronic

equipment. Designed to operate from 2.5V to 8V input

and supply up to 2.9A. The device features a small

V_ON/OFFZener protection for ESD ruggedness (>6KV Human

Body Model).

N-Channel MOSFET (Q1) together with

P-Channel power MOSFET (Q2) in

SuperSOT^TM-8 package.

large

single

High density cell design for extremely low on-resistance.

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SO-8

SOT-223

EQUIVALENT CIRCUIT

V^OUT,C^1,C^O

VIN,R1,Ci

V^OUT,C^1,C^O

R¹,R²,C¹

C¹,C^O

V_DROP

O U T

R²

V^ON/OFF

R²

O N / O FF

SuperSOT^TM-8

See Application Circuit

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

FDR8321L

2.5 - 8

1.5 - 8

2.9

Units

V_IN

Input Voltage Range

V_ON/OFF

I_L

On/Off Voltage Range

Load Current @ V_DROP= 0.2V - Continuous (Note 1)

- Pulsed

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 2)

0.8

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 2)

156

°C/W

FDR8321L Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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FDR836PL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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