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FDR856P

更新时间： 2024-09-15 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	225K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDR856P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
最大漏极电流 (ID)：	5.1 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDR856P 数据手册

March 1998

FDR856P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

SuperSOT^TM-8 P-Channel enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as battery powered circuits or

portable electronics where low in-line power loss, fast

switching and resistance to transients are needed.

- 6.3 A, -30 V, R_DS(ON)=0.025 W @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)=0.040 W @ V_GS= -4.5 V.

SuperSOT^TM-8 package:

small footprint (40% less than SO-8);low profile (1mm

thick);maximum power comperable to SO-8.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

SOT-223

pin 1

SuperSOT^TM-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDR856P

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

-30

Gate-Source Voltage - Continuous

±20

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-5.1

-50

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.8

P_D

(Note 1c)

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

FDR856P Rev.B

12 3 4 5 6 7 8

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与FDR856P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDR856PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR856PL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR856PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR858P	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR858P_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDR858PL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDR858PL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDR8702H	FAIRCHILD	获取价格	20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDR8702H_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDR9410A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5.8A I(D) \| SO

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