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FDR856PL86Z

更新时间: 2024-09-16 13:51:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 223K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

FDR856PL86Z 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):5.1 A
最大漏源导通电阻:0.025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDR856PL86Z 数据手册

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