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FDR8305N PDF预览

FDR8305N

更新时间： 2024-11-05 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 217K
描述
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDR8305N 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDR8305N 数据手册

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November 1999  
FDR8305N  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize the  
on-state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 4.5 V  
DS(ON) = 0.028 Ω @ VGS = 2.5 V.  
R
• Low gate charge (16.2nC typical).  
• Fast switching speed.  
Applications  
• Load switch  
• Motor driving  
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• Power Management  
• Small footprint (38% smaller than a standard SO-8);low  
profile package (1 mm thick); power handling capability  
similar to SO-8.  
D2  
D2  
4
5
6
D1  
D1  
3
2
7
8
S2  
G2  
S1  
1
G1  
SuperSOTTM-8  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
V
A
±
8
(Note 1a)  
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
4.5  
20  
- Pulsed  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
0.8  
W
TJ, Tstg  
-55 to +150  
°
C
Thermal Characteristics  
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
156  
40  
°
°
RθJA  
C/W  
C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.8305  
FDR8305N  
13’’  
12mm  
3000 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FD8305N Rev. C  
12345678

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与FDR8305N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDR8305ND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDR8308P FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8308P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR8308PD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR8308PL84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDR8321L FAIRCHILD

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 		P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
FDR8321LD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silic
FDR835N FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDR835NL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDR836P FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified MOSFET

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