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FDR8308PD84Z

更新时间： 2024-11-06 21:11:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 257K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

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FDR8308PD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDR8308PD84Z 数据手册

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November 1998  
FDR8308P  
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
The SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs  
have been designed to provide a low profile, small footprint  
alternative to industry standard SO-8 little foot type product.  
-3.2 A, -20 V. RDS(ON) = 0.050 W @ VGS = -4.5 V,  
DS(ON) = 0.070 W @ VGS = -2.5 V.  
R
Low gate charge (13nC typical).  
These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
SuperSOTTM-8 package: small footprint (40% less than  
SO-8); low profile(1mmthick); maximum power  
comparable to SO-8.  
These devices are well suited for portable electronics  
applications: load switching and power management, battery  
charging circuits, and DC/DC conversion.  
SuperSOTTM-8  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SOT-223  
D2  
4
D2  
5
6
D1  
D1  
3
2
7
8
S2  
G2  
S1  
1
pin  
1
SuperSOTTM-8  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDR8308P  
-20  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Draint Current - Continuous  
- Pulsed  
±8  
V
(Note 1)  
(Note 1)  
-3.2  
A
-20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
0.8  
W
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
156  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDR8308P Rev.C  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDR8308PL84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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